STP110N55F6
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
STP110N55F6 datasheet
-
МаркировкаSTP110N55F6
-
ПроизводительSTMicroelectronics
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP110N55F6 Continuous Drain Current: 110 A Drain-source Breakdown Voltage: 55 V Gate Charge Qg: 120 nC Maximum Operating Temperature: + 175 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Power Dissipation: 150 W Resistance Drain-source Rds (on): 5.2 mOhms Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 55 V Resistance Drain-Source RDS (on): 5.2 mOhms
-
Количество страниц11 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
26.05.2024
25.05.2024
24.05.2024